买卖IC网 >> 产品目录 >> PTFB241402F V1 R250 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9 datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

PTFB241402F V1 R250

库存数量：可订货
制造商：Infineon Technologies
描述：射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS 9
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制造商 Infineon Technologies
配置 Single
晶体管极性
频率
增益
输出功率
汲极/源极击穿电压 65 V
漏极连续电流 1200 mA
闸/源击穿电压 10 V
最大工作温度 + 125 C
封装 / 箱体 H-37248-4
封装
相关资料
属性
链接
代理商 PTFB241402F V1 R250
PTFB241402FV1
PTFB241402FV1R250
PTFL04BB222Q2N34B0
PTFL04BB471Q2N34B0
PTFL04BC222Q2N34B0
供应商
公司名
电话
万三科技（深圳）有限公司 17722625241 张国龙
北京芯时代电子科技发展有限公司 13610068393 栾文超
买卖ic网 15013635600 张仪
深圳市湘达电子有限公司 0755-83229772-83202753 朱平
  • PTFB241402F V1 R250 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
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